报告：三星电子第三季度DRAM价格将上调至20%

三星电子正在引领一轮新内存涨价，报告AI基础设施的星电投资热潮为其提供了支持。

据ZDNet周五报道，第季度韩国业内人士透露，上调三星电子已与客户就第三季度的报告通用DRAM均价（ASP）进行谈判，目标涨幅最高可达20%。星电此外，第季度公司还计划将低功耗DRAM（LPDDR）的上调价格上调超过20%，显示出其在涨价谈判中的报告强硬立场。

供给短缺仍在持续。星电全球科技巨头对AI基础设施的第季度持续投资推动了服务器DRAM、高带宽内存（HBM）和LPDDR的上调整体需求，短期内供给紧张局面难以缓解。报告业内人士指出，星电尽管后续的第季度价格涨幅有缩小的趋势，三星电子及其他内存厂商仍有望在明年维持高盈利水平。

三星涨价步伐领先

三星电子今年的DRAM ASP上涨幅度明显高于同行。行业数据显示，第一季度其DRAM ASP较上季度上涨约90%，第二季度涨幅在50%至60%之间，第三季度目标涨幅达20%。相比之下，HBM生产占比更高的SK海力士预计涨幅低于三星。普遍认为，这一差异与两家公司产品结构不同有关——三星的通用DRAM占总产量比例较高，价格弹性更大，且在涨价上更为积极。一位半导体业内人士表示：“三星在第三季度的价格谈判中态度非常坚决，但客户是否能完全接受尚不明确。”

长期供应协议锁定价格底线

尽管阶段性涨价态势趋缓，中期内DRAM价格仍将受到结构性支撑。业内人士指出，核心客户与内存厂商之间的长期供应协议（LTA）的签署比例正在上升，从而有效抑制了价格下行风险。美光上个月在业绩会上表示，公司已与客户签订了16份长期供应协议。这些协议不仅约束了购买量，还有助于设定高盈利水平的价格底线。这一趋势反映出客户对中长期内存供给紧张的预期。

Meta云业务计划不影响需求

此前市场曾担心，Meta的云服务商业化及对外销售剩余算力可能意味着其AI产能已趋饱和，从而对内存需求造成影响。然而，Meta已将全年AI基础设施投资计划由1150亿至1350亿美元上调至1250亿至1450亿美元，显示出持续扩大的资本支出方向并未改变。另一位业内人士表示：“更准确的说法是，Meta此举旨在更高效利用内部算力资源，而非释放产能过剩的信号。价格下限LTA的扩大以及HBM价格再谈判等因素综合作用，明年DRAM市场大幅下行的可能性很小。”

本文转载自“华尔街见闻”，官网编辑：陈思宇。